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Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI7N65
| Artikelnummer: | AOI7N65 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 7A TO251A |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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- Spezifikationen
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- Versandinformationen
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI7N65 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments AOI7N65.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-251A Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.56Ohm @ 3.5A, 10V Verlustleistung (max) 178W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Stub Leads, IPak Paket Tube Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc) Grundproduktnummer AOI7 AOI7N65 Einzelheiten PDF [English] AOI7N65 PDF - EN.pdf -
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